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【信息科学与工程学】【物理/化学科学和工程技术】知识体系04 缺陷化学 第二部分 总纲

【信息科学与工程学】【物理/化学科学和工程技术】知识体系04 缺陷化学 第二部分 总纲

缺陷化学核心数学模型库

目录

  1. 本征点缺陷平衡与扩散模型 (1-20)

  2. 杂质-缺陷相互作用模型 (21-40)

  3. 扩展缺陷形成演化模型 (41-60)

  4. 界面与表面缺陷模型 (61-80)

  5. 工艺诱导缺陷与成品率模型 (81-100)


第一章:本征点缺陷平衡与扩散模型 

模型编号

数学模型 (方程式)

方程式说明

参数说明列表

缺陷特征表现

在芯片整体工艺中的规避措施及应用方法

实施技术

应用场景

理论基础

1.1

CI0​(T)=Nsites​exp(−kB​TEIf​​)

本征间隙原子热平衡浓度

CI0​:平衡浓度(cm⁻³)
Nsites​:晶格位置密度(~5×10²² cm⁻³)
EIf​:形成能(eV

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