德累斯顿莱布尼茨固态与材料研究所IFW Dresden选定Agnitron工具推进ScAlN与Ga2O3材料研发德累斯顿莱布尼茨固态与材料研究所IFW Dresden的金属有机化学气相沉积MOCVD和原子层沉积ALD能力中心业已选定Agnitron公司的Agilis 100 MOCVD系统用以支撑其前驱体化学研究以及MOCVD和ALD工艺的研发。IFW Dresden正致力于为多种新型半导体器件类别研发创新的化学合成方法。选用Agnitron的设备使IFW Dresden得以应对在灵活的研发型MOCVD平台上部署新合成的、独特低蒸气压前驱体的难题。IFW Dresden材料化学研究所所长安佳娜·德维Anjana Devi下图对这款别具一格的Agnitron Agilis 100系统予以肯定。该系统整合了新研发的装置借助其专利喷淋头达成了从前驱体安瓿到晶圆的温度调控。她表示“我们发觉与Agnitron合作为我们提供了所需的灵活性以及在商用反应器中开展合成和测试新前驱体计划所需的支持。”该中心初期的重点将聚焦于运用正在研发的新型金属有机前驱体生长钪Sc合金化的氮化铝AlN。ScAlN合金属于超宽禁带半导体其压电系数显著提高且具备较强的自发极化特性。ScAlN预计将在下一代高频、高功率和声学半导体器件中扮演关键角色能够推动创新功率电子学的发展实现更优的带宽、信号质量和热稳定性。负责IFW Dresden纳米结构薄膜材料研究团队的哈里什·巴拉拉Harish Parala表示“鉴于已安装的Agilis 100系统在材料生长方面的卓越成效和性能表现我们选择Agnitron为我们提供第二套MOCVD系统以进一步强化我们针对氧化物薄膜的前驱体开发。第二套生长系统将使我们能够运用和测试新的镓化学物质以生长Ga₂O₃薄膜。”Ga₂O₃是另一种超宽禁带半导体Agnitron在利用MOCVD生长该材料的纯度方面保持着世界纪录。IFW Dresden的化学工艺与Agnitron在Ga₂O₃ MOCVD设备及工艺方面的世界领先地位相结合堪称完美的合作伙伴关系。Agnitron Technology的创始人兼首席执行官安德烈·奥辛斯基Andrei Osinsky表示“IFW Dresden堪称理想的合作伙伴这是一支世界一流的科研团队拥有精良的设施能够创制出完美的前沿材料极为适配采用专利喷淋头和低蒸气压化学输送系统的Agilis 100平台。永霖光电-UVSIS-UVLED紫外线应用专家-独家发布